21 Ноября 2024 г. Четная неделя

Учёные СПбПУ побывали на математическом фестивале в Хабаровске

17 Октября 2024
129
 Версия для печати

В начале октября делегация Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого побывала на Дальневосточном фестивале математики, организованном Хабаровским отделением научно-образовательного математического центра «Дальневосточный центр математических исследований» при Тихоокеанском государственном университете (ТОГУ).

В делегацию вошли и. о. директора Физико-механического института СПбПУ профессор Алексей Филимонов; директор Высшей школы механики и процессов управления, член-корр. РАН Александр Беляев; профессор Высшей школы технологий искусственного интеллекта Владимир Заборовский и профессор Высшей школы общественных наук Дмитрий Кузнецов.

Дмитрий Кузнецов

Фестиваль открыла дискуссия «Перспективы и тренды развития науки и технологий». На ней с докладом «История и философия развития математической отечественной науки» выступил Дмитрий Кузнецов. Актуальные вопросы интеллектуализации вычислительных технологий, их физические и информационные аспекты осветил в своём выступлении Владимир Заборовский. Завершил мероприятие первого дня фестиваля доклад Александра Беляева «Высокочастотная динамика — недостающее звено в эволюции динамики».

Владимир Заборовский

Алексей Филимонов

На следующей день политехники приняли участие в работе XXII Всероссийской научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование». Спектр обсуждаемых тем охватывал теоретическую физику и вычислительную математику, физику конденсированных сред, физическое материаловедение, общую и техническую физику, оптику, физическое образование. С докладом «Августин Бетанкур и физическое образование в России в первой четверти XIX века» выступил Дмитрий Кузнецов, а открытая лекция Алексея Филимонова была посвящена естественно размерному эффекту в гетероконтактах III-нитридов. Докладчик рассмотрел актуальные для технологии создания полупроводниковых приборов вопросы природы хаотического потенциала в гетероконтактах полупроводниковых структур, индуцированного электростатическим полем дислокаций, в условиях локализации двумерного электронного газа в приконтактной области.